demetallization process
탈금속화 공정
undergoing demetallization
탈금속화를 받고 있는
prevent demetallization
탈금속화 방지
demetallization study
탈금속화 연구
post-demetallization treatment
탈금속화 후 처리
demetallization effect
탈금속화 효과
accelerate demetallization
탈금속화 가속
demetallization analysis
탈금속화 분석
initial demetallization
초기 탈금속화
complete demetallization
완전한 탈금속화
the circuit board underwent demetallization during the harsh environmental testing.
회로 기판은 혹한 환경 테스트 중 탈금속화를 겪었다.
demetallization of the silicon wafer can significantly impact device performance.
실리콘 웨이퍼의 탈금속화는 장치 성능에 큰 영향을 미칠 수 있다.
preventing demetallization is crucial for long-term reliability in microelectronics.
마이크로전자에서 장기적인 신뢰성 확보를 위해 탈금속화를 방지하는 것은 매우 중요하다.
we studied the mechanisms behind demetallization in aluminum interconnects.
우리는 알루미늄 인터커넥트에서 탈금속화의 메커니즘을 연구했다.
demetallization can be accelerated by elevated temperatures and humidity.
높은 온도와 습도는 탈금속화를 가속화할 수 있다.
the passivation layer helps to mitigate demetallization effects on the surface.
패시베이션 층은 표면의 탈금속화 효과를 완화하는 데 도움을 준다.
post-etch demetallization is a common concern in semiconductor manufacturing.
에칭 후 탈금속화는 반도체 제조에서 흔한 우려사항이다.
understanding demetallization pathways is key to designing robust devices.
탈금속화 경로를 이해하는 것은 견고한 장치 설계의 열쇠이다.
demetallization testing is a standard procedure in our quality control process.
탈금속화 테스트는 우리의 품질 관리 과정에서 표준 절차이다.
the goal is to minimize demetallization and extend the device lifespan.
목표는 탈금속화를 최소화하고 장치 수명을 연장하는 것이다.
electromigration can contribute to demetallization in integrated circuits.
전자 이주 현상은 집적회로에서 탈금속화에 기여할 수 있다.
demetallization process
탈금속화 공정
undergoing demetallization
탈금속화를 받고 있는
prevent demetallization
탈금속화 방지
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탈금속화 연구
post-demetallization treatment
탈금속화 후 처리
demetallization effect
탈금속화 효과
accelerate demetallization
탈금속화 가속
demetallization analysis
탈금속화 분석
initial demetallization
초기 탈금속화
complete demetallization
완전한 탈금속화
the circuit board underwent demetallization during the harsh environmental testing.
회로 기판은 혹한 환경 테스트 중 탈금속화를 겪었다.
demetallization of the silicon wafer can significantly impact device performance.
실리콘 웨이퍼의 탈금속화는 장치 성능에 큰 영향을 미칠 수 있다.
preventing demetallization is crucial for long-term reliability in microelectronics.
마이크로전자에서 장기적인 신뢰성 확보를 위해 탈금속화를 방지하는 것은 매우 중요하다.
we studied the mechanisms behind demetallization in aluminum interconnects.
우리는 알루미늄 인터커넥트에서 탈금속화의 메커니즘을 연구했다.
demetallization can be accelerated by elevated temperatures and humidity.
높은 온도와 습도는 탈금속화를 가속화할 수 있다.
the passivation layer helps to mitigate demetallization effects on the surface.
패시베이션 층은 표면의 탈금속화 효과를 완화하는 데 도움을 준다.
post-etch demetallization is a common concern in semiconductor manufacturing.
에칭 후 탈금속화는 반도체 제조에서 흔한 우려사항이다.
understanding demetallization pathways is key to designing robust devices.
탈금속화 경로를 이해하는 것은 견고한 장치 설계의 열쇠이다.
demetallization testing is a standard procedure in our quality control process.
탈금속화 테스트는 우리의 품질 관리 과정에서 표준 절차이다.
the goal is to minimize demetallization and extend the device lifespan.
목표는 탈금속화를 최소화하고 장치 수명을 연장하는 것이다.
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전자 이주 현상은 집적회로에서 탈금속화에 기여할 수 있다.
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